ゲート定義された量子ドットにおけるCoulomb共鳴による二層グラフェンにおけるShubnikov-de-Haas振動の静電的検出【JST・京大機械翻訳】

Banszerus Luca; Fabian Thomas; Moller Samuel; Icking Eike; Heiming Henning; Trellenkamp Stefan; Lentz Florian; Neumaier Daniel; Otto Martin; Watanabe Kenji; Taniguchi Takashi; Libisch Florian; Volk Christian; Stampfer Christoph

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202214253381889 整理番号：21P0036817

ゲート定義された量子ドットにおけるCoulomb共鳴による二層グラフェンにおけるShubnikov-de-Haas振動の静電的検出【JST・京大機械翻訳】

Electrostatic detection of Shubnikov-de-Haas oscillations in bilayer graphene by Coulomb resonances in gate-defined quantum dots

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発行年： 2020年06月23日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年09月09日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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二層グラフェンのゲート定義量子ドットを,その環境の電荷密度をプローブするための高感度電気計として利用した。垂直磁場の影響下で,量子ドットに隣接するチャネル領域の電荷キャリア密度はLandau準位の形成により振動する。これは,近傍の量子ドットのCoulomb共鳴のゲート電圧位置における振動として実験的に観察された。振動の周波数から,チャネル内の電荷キャリア密度および量子ドットポテンシャルのシフトを振幅から抽出する。これらの実験結果をデバイスの静電シミュレーションと比較し,良好な一致を見出した。【JST・京大機械翻訳】

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, , , , , , 【Automatic Indexing@JST】

トランジスタ , 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , 半導体結晶の電子構造 , 半導体結晶の電気伝導

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