ヘテロ構造における原子レベル界面広がりにより誘起された局在エネルギー状態【JST・京大機械翻訳】

Attiaoui Anis; Fettu Gabriel; Mukherjee Samik; Bauer Matthias; Moutanabbir Oussama

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202214324031990 整理番号：22P0311069

ヘテロ構造における原子レベル界面広がりにより誘起された局在エネルギー状態【JST・京大機械翻訳】

Localized Energy States Induced by Atomic-Level Interfacial Broadening in Heterostructures

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発行年： 2022年03月27日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年03月27日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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原子レベルの界面の詳細を組み込んだ理論的枠組みを導出し,埋込み界面の電子構造を含み,有限界面広がりの存在下でヘテロ構造中の電荷キャリアの挙動を記述した。このモデルを超薄ヘテロエピタキシャル(SiGe)m/(Si)m超格子に適用することにより,サブナノメートル広がりにより誘起されたバンド構造における局在エネルギー準位の存在を予測し,正孔-電子再結合に対する付加的経路を提供した。これらの予測された界面電子遷移と関連する吸収効果を,可変超格子厚さと周期性で実験的に確認した。臨界点のエネルギーのマッピングにより,光学遷移を2と2.5eVの間で同定し,光吸収を低エネルギーに拡大した。この現象はヘテロ構造における原子レベルの広がりの簡単で非破壊的なプローブを可能にする。【JST・京大機械翻訳】

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半導体結晶の電子構造

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