二層グラフェンにおける光誘起Raman力による巨大せん断変位【JST・京大機械翻訳】

Rostami Habib

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202214432102577 整理番号：22P0333348

二層グラフェンにおける光誘起Raman力による巨大せん断変位【JST・京大機械翻訳】

Giant Shear Displacement by Light-Induced Raman Force in Bilayer Graphene

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発行年： 2022年04月17日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年04月17日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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van der Waals層状材料におけるせん断フォノンのコヒーレント励起は,系の電子状態を微調整する非破壊機構である。変位Raman力に対するダイアグラム理論を開発し,それを剪断フォノン動力学に適用した。強い赤外レーザに対して巨大剪断変位Q_0→550pmをもたらすF≡10nN/nm ̄2のオーダの二層グラフェンにおける修正Raman力密度を得た。円形および線形変位Raman力の両方を考察した。レーザ周波数と偏光は,異なる電子ドーピング,温度,および散乱速度においてQ_0を効果的に調整できることを示した。有限Q_0は光電子放出分光法がプローブできる低エネルギー分散においてDirac交差対を誘起することを明らかにした。著者らの知見は,レーザ照射による層状材料のヘテロ構造におけるステッピング秩序のコヒーレント操作をシミュレートし,解析するための系統的経路を提供した。【JST・京大機械翻訳】

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, , , , , 【Automatic Indexing@JST】

結晶中のフォノン・格子振動 , 半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル

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