Electronドープ磁気Weyl半金属における固有異常Hallコンダクタンスの無秩序誘起上昇【JST・京大機械翻訳】

Shen Jianlei; Yao Qiushi; Zeng Qingqi; Sun Hongyi; Xi Xuekui; Wu Guangheng; Wang Wenhong; Liu Qihang; Liu Enke

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202214459186284 整理番号：22P0110088

Electronドープ磁気Weyl半金属における固有異常Hallコンダクタンスの無秩序誘起上昇【JST・京大機械翻訳】

Disorder-Induced Elevation of Intrinsic Anomalous Hall Conductance in an Electron-Doped Magnetic Weyl Semimetal

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発行年： 2020年02月10日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年02月17日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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トポロジー材料は,それらのユニークなバンド反転特性とバンド交差点により,異なる輸送シグネチャを示すことが期待される。しかし,実験的に実現可能な手段によるこのようなトポロジー応答の意図的変調は,あまり研究されていない。ここでは,異常Hall効果(AHE)の異常な上昇を,電子(Ni)ドープ磁性Weyl半金属Co_3-xNi_xSn_2S_2において得,x=0.11の比較的低いドーピングレベルで異常なHall伝導率,Hall角およびHall因子のピーク値を示した。TYJスケーリングモデルを用いた全AHEへの固有及び外因性寄与の分離は,このような顕著な増強が電子Berry曲率の固有機構により支配されることを示した。理論計算は,電子充填からのFermi準位シフトと比較して,ドーピング,すなわち局所無秩序の通常見落した効果が,バンドの広がりと反転ギャップの狭まりに顕著な影響を課し,その結果,統合Berry曲率の上昇をもたらすことを明らかにした。これらの結果は,磁気Weyl半金属におけるAHEの増強を実現するだけでなく,ドーピングの無秩序効果を利用して,トポロジー材料におけるバンドと輸送特性を調節するための実用的な設計原理も提供する。【JST・京大機械翻訳】

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電子輸送の一般理論

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