強いスピン-軌道散乱を持つ2D超伝導Electronガスにおける磁場誘起ボソン絶縁状態の起源について【JST・京大機械翻訳】

Maniv Tsofar; Zhuravlev Vladimir

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202214597322903 整理番号：22P0023389

強いスピン-軌道散乱を持つ2D超伝導Electronガスにおける磁場誘起ボソン絶縁状態の起源について【JST・京大機械翻訳】

On the origin of Field-Induced Boson Insulating States in a 2D Superconducting Electron Gas with Strong Spin-Orbit Scatterings

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発行年： 2022年01月04日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年01月04日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

電子ドープSrTiO_3/LaAlO_3界面で実験的に観測された磁場誘起超伝導体-絶縁体遷移の深い起源を探索し,超伝導ゆらぎ法(Phys.Rev.B104,054503(2021))の枠内で理論的に解析した。強いスピン-軌道散乱を有する2D電子-気体モデルを採用して,ゼロ温度限界において,ゆらぎ質量の場誘起非束縛成長,およびメゾスコピックパドルにおけるCooper対密度の発散が,高磁場でのBoson絶縁状態への系を駆動することを見出した。低温でのSrTiO_3/LaAlO_3(111)界面で作製したゲート電圧同調2D電子系へのこのモデルの適用により,十分に高い磁場において,DOS伝導率がパラ伝導率よりも支配的であり,十分に小さなキャリア密度を有する系において強く増強された磁気抵抗をもたらすことが分かった。ゼロ温度での発散を防ぐ,移動正規電子状態へのCooper対の動的な量子トンネリングは,高磁場抵抗開始を含む。【JST・京大機械翻訳】

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酸化物系超伝導体の物性

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