電気光学変調器における基本的残留振幅変調【JST・京大機械翻訳】

Dominguez Alfredo E.; Larcher Walter E. Ortega; Kozameh Carlos N.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202214675154982 整理番号：21P0005372

電気光学変調器における基本的残留振幅変調【JST・京大機械翻訳】

Fundamental residual amplitude modulation in electro-optic modulators

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発行年： 2017年10月29日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2021年04月17日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

残留振幅変調(RAM)は,通常,電気光学効果に基づく位相変調をレーザビームにインプリントするときに発生する望ましくない非ゼロ振幅変調である。本研究では,レーザビーム上にサイドバンドを生成するのに用いる電気光学変調器(EOM)も,光セットアップにおいてRAMを生成することを示した。この結果は,振幅がプロセスにおいて不変のままであり,これらのデバイスに対する基本的RAM(mathrm{RAM_{F})として考慮されるべきである標準テキストブックと矛盾する。ウェッジ型結晶における周波数ω_0と周波数ΩのRF変調信号を有するEOMを有する赤外レーザの伝搬に対する古典的モデルを示した。Δλ_0から,WKB近似により時変媒質におけるMaxwell方程式を解き,準平面波の観点から電磁場を書き込んだ。セットアップの新興分野から,関連する数学モデル{RAM_{F}を計算し,それが位相変調深さmと指数(frac|{0})に依存することを示す。重力波検出器で用いたEOMに対して得られたmathrm{RAM{F}値を示した。最後に,mathrm{RAM_{F}の消去を解析した。【JST・京大機械翻訳】

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光変調器

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