ロバストな無接触スピンクロスオーバー/グラフェンハイブリッドデバイスにおける熱および光誘起スピン遷移の電気的センシング【JST・京大機械翻訳】

Gavara-Edo Miguel; Cordoba Rosa; Valverde-Munoz Francisco Javier; Herrero-Martin Javier; Real Jose Antonio; Coronado Eugenio

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202214762191215 整理番号：22P0323863

ロバストな無接触スピンクロスオーバー/グラフェンハイブリッドデバイスにおける熱および光誘起スピン遷移の電気的センシング【JST・京大機械翻訳】

Electrical sensing of the thermal and light induced spin transition in robust contactless spin-crossover/graphene hybrid devices

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発行年： 2022年04月01日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年04月01日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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スピンクロスオーバ(SCO)/2Dヘテロ構造に基づくハイブリッドデバイスは,分子SCO成分中のスピン遷移を検出し,2D材料の特性を調整するための高感度プラットフォームを供与する。しかし,熱処理,光照射または表面との接触によるSCO材料の脆弱性は,それらの加工に使用される方法論がそれらの適用性を制限してきた。ここでは,CVD-グラフェン上に堆積された昇華可能なSCO[Fe(Pyrz)_2]分子に基づく優れた性能を有する容易に加工可能な堅牢なSCO/2Dハイブリッドデバイスを報告し,それはエレクトロニクス産業プロトコルと完全に互換性がある。したがって,グラフェン上の[Fe(Pyrz)_2](正方晶相)の分かりにくい多形の成長に基づく新規な方法論を開発し,デバイス中の高速かつ効果的な光誘起スピン遷移(5分で約50%収率)を電気的に検出できる。このような性能は,PMMAの柔軟なポリマー層が接触レス構成の2つの活性成分の間に挿入され,5分で約100%の収率に達するとき,さらに増強できる。【JST・京大機械翻訳】

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鉄の錯体

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