電荷欠陥の第一原理計算における緩和体積の難問【JST・京大機械翻訳】

Goyal Anuj; Mathew Kiran; Hennig Richard G.; Chernatynskiy Aleksandr; Stank Christopher R.; Murphy Samuel T.; Andersson David A.; Phillpot Simon R.; Uberuaga Blas P.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202214817441089 整理番号：21P0004161

電荷欠陥の第一原理計算における緩和体積の難問【JST・京大機械翻訳】

The conundrum of relaxation volumes in first-principles calculations of charge defects

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発行年： 2017年04月13日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2017年04月13日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

荷電空孔と格子間原子の密度汎関数理論(DFT)計算から得られた欠陥緩和体積は,それらの中性の対応物よりはるかに大きく,非物理的に大きい。本研究では,周期的DFTにおける荷電欠陥構造の計算を扱う方法について,この理由を検討し,再考した。緩和体積に対する荷電欠陥形成エネルギーに対する提案したエネルギー補正の依存性を調べ,欠陥形成エネルギーにおける大きな変化に導くことができる画像電荷補正および整列補正のような補正が,荷電欠陥緩和体積にほとんど無視できる影響を有することを見出した。また,個々の荷電欠陥から成る正味中性欠陥反応に対する体積を調べ,凝集体形成体積が妥当な大きさを有することを見出した。本研究は,欠陥形成エネルギーに関して,欠陥形成体積が貯留層の選択に依存するという重要な問題を強調する。電荷欠陥の形成反応における電子貯留層の体積の変化を考慮して,原子の体積が欠陥形成体積でどのように説明されるかに類似して,それらが中性欠陥に匹敵するような荷電欠陥の形成体積を再正規化できることを示した。このアプローチは,荷電欠陥を生成する全体欠陥反応の文脈を超えて,全体中性材料内の孤立荷電欠陥の弾性特性の記述を可能にする。【JST・京大機械翻訳】

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, , , , , 【Automatic Indexing@JST】

不純物・欠陥の電子構造 , その他の無機化合物の格子欠陥

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