プレプリント
J-GLOBAL ID：202202214906642489   整理番号：22P0026080

歪誘起垂直磁気異方性を持つ単結晶エピタキシャルユウロピウム鉄ガーネット膜:構造,歪,磁気およびスピン輸送特性【JST・京大機械翻訳】

Single-crystal epitaxial europium iron garnet films with strain-induced perpendicular magnetic anisotropy: structural, strain, magnetic, and spin transport properties
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著者 (15件)：
Guo M. X.

Guo M. X. について

(Department of Physics, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan)

Department of Physics, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan について

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Cheng C. K.

Cheng C. K. について

(Graduate Institute of Applied Physics and Department of Physics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)

Graduate Institute of Applied Physics and Department of Physics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan について

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Liu Y. C.

Liu Y. C. について

(Department of Physics, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan)

Department of Physics, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan について

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Wu C. N.

Wu C. N. について

(Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Dresden, Germany)

Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Dresden, Germany について

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Chen W. N.

Chen W. N. について

(Department of Physics, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan)

Department of Physics, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan について

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Chen T. Y

Chen T. Y について

(Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)

Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan について

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Wu C. T.

Wu C. T. について

(Materials Analysis Division, Taiwan Semiconductor Research Institute, National Applied Research Laboratories, Hsinchu, Taiwan)

Materials Analysis Division, Taiwan Semiconductor Research Institute, National Applied Research Laboratories, Hsinchu, Taiwan について

, 
Hsu C. H.

Hsu C. H. について

(National Synchrotron Radiation Research Center, Hsinchu, Taiwan)

National Synchrotron Radiation Research Center, Hsinchu, Taiwan について

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Zhou S. Q.

Zhou S. Q. について

(Institut fuer Ionenstrahlphysik und Materialforschung, Forschungszentrum Dresden-Rossendorf e.V., Dresden, Germany)

Institut fuer Ionenstrahlphysik und Materialforschung, Forschungszentrum Dresden-Rossendorf e.V., Dresden, Germany について

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Chang C. F.

Chang C. F. について

(Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Dresden, Germany)

Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Dresden, Germany について

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Tjeng L. H.

Tjeng L. H. について

(Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Dresden, Germany)

Max Planck Institute for Chemical Physics of Solids, Dresden, Germany について

, 
Lee S. F.

Lee S. F. について

(Institute of Physics, Academia Sinica, Taipei, Taiwan)

Institute of Physics, Academia Sinica, Taipei, Taiwan について

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Pai C. F.

Pai C. F. について

(Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)

Department of Materials Science and Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan について

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Hong M.

Hong M. について

(Graduate Institute of Applied Physics and Department of Physics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)

Graduate Institute of Applied Physics and Department of Physics, National Taiwan University, Taipei, Taiwan について

, 
Kwo J.

Kwo J. について

(Department of Physics, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan)

Department of Physics, National Tsing Hua University, Hsinchu, Taiwan について


資料名：
arXiv

arXiv について


発行年： 2022年01月11日  プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年01月11日
JST資料番号： O7000B  資料種別： プレプリント
記事区分： プレプリント  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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軸外スパッタリングを用いたガドリニウムガリウムガーネット(GGG)(100)基板上にエピタキシャル成長した単結晶ユウロピウム鉄ガーネット(EuIG)薄膜は,歪誘起垂直磁気異方性(PMA)を有する。スパッタリング条件を変えることによって,膜歪を仕立てるために,膜中のユウロピウム/鉄(Eu/Fe)組成比を調整した。この膜は,原子間力顕微鏡を用いて観察されたように,粗さが0.1nmの非常に滑らかで無粒子表面を示した。高分解能X線回折分析と逆空間マップは,面内エピタキシャル膜成長,非常に滑らかな膜/基板界面,ロッキングカーブ走査で0.012°の半値全幅と緩和のない面内圧縮歪を有する優れた膜結晶性を示した。さらに,球面収差補正走査透過電子顕微鏡は,EuIG膜とGGGの間に原子的に急激な界面を示した。角度依存X線磁気二色性からの測定と組み合わせた振動試料磁気測定による測定スクリーシュ面外磁化場ヒステリシスループは,膜中のPMAを示した。EuIG薄膜の磁気特性を,71.91から124.51emu/c.c.((Eu/Fe)比による増加),27から157.64Oeまでの抗電場,および,-0.74から-1.044%の面内圧縮歪で4.21から18.87kOeに増加するPMA場(H_⊥)の強度を含めて調整した。また,Pt/EuIG二層構造におけるスピン輸送を調べ,スピン混合コンダクタンスの実部を3.48×10 ̄14Ω ̄-1m ̄-2と評価した。3.5×10 ̄6A/cm ̄2の低い臨界スイッチング電流密度を有する電流誘起磁化スイッチングを示し,低散逸スピントロニクスデバイスに対する優れた可能性を示した。【JST・京大機械翻訳】
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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界面

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磁化

磁化 について

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*単結晶

単結晶 について

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薄膜

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*ざくろ石

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, 
曲線

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*磁気

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走査

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ロッキングカーブ

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*垂直磁気異方性

垂直磁気異方性 について

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原子間力顕微鏡

原子間力顕微鏡 について

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抗電場

抗電場 について

, 
FWHM

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コンダクタンス

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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ヒステリシスループ

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圧縮歪

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分類 (3件)：
分類
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酸化物薄膜 
(BK14050P)

酸化物薄膜 について

,  磁気異方性・磁気機械効果一般 
(BM06101B)

磁気異方性・磁気機械効果一般 について

,  酸化物結晶の磁性 
(BM06050E)

酸化物結晶の磁性 について

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タイトルに関連する用語
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歪

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誘起

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, 
垂直磁気異方性

垂直磁気異方性 について

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単結晶

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エピタキシャル

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, 
ユウロピウム

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鉄

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ガーネット

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磁気

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, 
スピン

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, 
輸送特性

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