静電閉込めトポロジカル表面状態におけるBerry位相スイッチ【JST・京大機械翻訳】

Zhang Jun; Jiang Ye-ping; Ma Xu-Cun; Xue Qi-Kun

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202215093243642 整理番号：22P0298409

静電閉込めトポロジカル表面状態におけるBerry位相スイッチ【JST・京大機械翻訳】

Berry-phase switch in electrostatically-confined topological surface states

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発行年： 2022年03月03日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年03月03日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

ここでは,7-五重層3次元(3D)トポロジー絶縁体(TI)Sb_2Te_3エピタキシャル膜の上部表面上の円形n-p接合におけるトポロジー表面状態のトラッピングを可視化した。空間および磁場依存性トンネルスペクトルによって示されるように,これらのトラップされた共鳴はゼロ磁場での縮退時間反転対称状態間の磁場誘起分裂を示した。これらの挙動は,実験データを数値的および半古典的シミュレーションの両方と比較することにより,Berry-位相スイッチに明確に起因した。エピタキシャル膜におけるトポロジー表面状態の成功した静電トラッピングとBerry位相スイッチの観測は,TIベースの量子デバイスのための新しいアイデアを利用する豊富なプラットフォームを提供する。【JST・京大機械翻訳】

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