第一原理からのGaAsにおける高磁場輸送とホットエレクトロン雑音:2フォノン散乱の役割【JST・京大機械翻訳】

Cheng Peishi S.; Sun Jiace; Sun Shi-Ning; Choi Alexander Y.; Minnich Austin J.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202215093289936 整理番号：22P0281072

第一原理からのGaAsにおける高磁場輸送とホットエレクトロン雑音:2フォノン散乱の役割【JST・京大機械翻訳】

High-field transport and hot electron noise in GaAs from first principles: role of two-phonon scattering

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発行年： 2022年01月27日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年07月06日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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半導体における高磁場電荷輸送は,基本的興味と実用的に重要である。低磁場輸送のab initio処理はよく発達しているが,高磁場輸送の処理は非常に少なく,特にGaAsに関係すると報告されているマルチフォノンプロセスに対してそうである。ここでは,シェル2フォノン(2ph)散乱を含む第一原理からのGaAs中のホットエレクトロンの高磁場輸送特性と電流パワースペクトル密度(PSD)の計算を報告する。シェル2ph散乱速度は,運動量とエネルギー緩和速度の両方を増加させることにより,高磁場分布関数を定性的に変化させ,また,間隔ley散乱に著しく寄与することが分かった。この知見は,輸送と光学的研究から推測されたように,GaAsにおける間隔ley散乱の強さに関する長年の矛盾を調和する。電場によるPSDの特徴的非単調傾向はこの理論レベルでは予測されない。本研究は,高磁場輸送と雑音のab initio計算が半導体における電子-フォノン相互作用の厳密な試験としてどのように使用できるかを示した。【JST・京大機械翻訳】

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13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 , 半導体結晶の電気伝導

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