III-V多重接合太陽電池用の薄型ゲルマニウム基板【JST・京大機械翻訳】

Lombardero Ivan; Miyashita Naoya; Ochoa Mario; Okada Yoshitaka; Algora Carlos

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202215275961699 整理番号：22P0344363

III-V多重接合太陽電池用の薄型ゲルマニウム基板【JST・京大機械翻訳】

Thinned Germanium Substrates for III-V Multijunction Solar Cells

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発行年： 2022年05月04日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年05月04日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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マルチ接合太陽電池は通常Ge基板上に成長した。これは,全体のマルチ接合の性能を妨げ,それらの可能な応用を制限するいくつかの欠点を意味する。基板に起因する欠点は,より重いデバイス,より高い動作温度,低い性能および光子閉じ込めの欠如である。本研究では,前述の課題に対する有効な解決策として基板を薄くすることを提案する。2D TCADツールを用いて,多重接合内のGeサブセル性能に対する基板厚さの影響をシミュレーションした。シミュレーション結果は,薄いGeサブセルの開発を強化するためのキーパラメータとして背面再結合を示した。Ge基板は薄くなり,115{μ}m厚さの試料を達成した。最後に,太陽電池を薄い基板から製造して,限られた劣化を証明し,115{μ}mまで薄くなるGeサブセルを製造するこのプロセスの実現可能性を示した。【JST・京大機械翻訳】

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太陽電池

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