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J-GLOBAL ID：202202215330650899   整理番号：22A0223382

純O_2と混合Ar/O_2雰囲気中で冷却したスパッタBiFeO_3薄膜の結晶相と強誘電特性【JST・京大機械翻訳】

Crystalline Phases and Ferroelectric Properties of Sputtered BiFeO₃ Thin Films Cooled in Pure O₂ and Mixed Ar/O₂ Atmospheres

著者 (8件)： Liu Huali (Institute of Advanced Energy Materials and Chemistry, School of Chemistry and Chemical Engineering, Qilu University of Technology (Shandong Academy of Sciences), Jinan, China) ,  Zhu Hanfei (Institute of Advanced Energy Materials and Chemistry, School of Chemistry and Chemical Engineering, Qilu University of Technology (Shandong Academy of Sciences), Jinan, China) ,  Chen Xiaolong (Institute of Advanced Energy Materials and Chemistry, School of Chemistry and Chemical Engineering, Qilu University of Technology (Shandong Academy of Sciences), Jinan, China) ,  Feng Guoqiang (Institute of Advanced Energy Materials and Chemistry, School of Chemistry and Chemical Engineering, Qilu University of Technology (Shandong Academy of Sciences), Jinan, China) ,  Bian Junwei (Institute of Advanced Energy Materials and Chemistry, School of Chemistry and Chemical Engineering, Qilu University of Technology (Shandong Academy of Sciences), Jinan, China) ,  Ding Zhichen (Institute of Advanced Energy Materials and Chemistry, School of Chemistry and Chemical Engineering, Qilu University of Technology (Shandong Academy of Sciences), Jinan, China) ,  Ouyang Jun (Institute of Advanced Energy Materials and Chemistry, School of Chemistry and Chemical Engineering, Qilu University of Technology (Shandong Academy of Sciences), Jinan, China) ,  Ouyang Jun (Key Laboratory for Liquid-Solid Structural Evolution and Processing of Materials (Ministry of Education), Shandong University, Jinan, China)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 51  号： 1  ページ： 295-303  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高品質エピタキシャルBiFeO_3(BFO)薄膜の製作は,それらの統合デバイス応用にとって重要である。本研究では,高周波マグネトロンスパッタリングにより作製したBFO薄膜の結晶相と電気的性質に及ぼす2つの冷却雰囲気,すなわち純O_2と混合Ar/O_2の改質を実証した。支配的な菱面体晶(R)と部分的正方晶(T)相の共存を有するBFO薄膜の良好なエピタキシャル成長をXRD分析により同定した。混合Ar/O_2中で冷却したBFO薄膜中に検出された非常に少量の(100)配向T相と比較して,純粋なO_2中で冷却した膜では(001)方位のT相の増加が観察された。さらに,混合Ar/O_2中で冷却したBFO膜の漏れ,誘電挙動,および強誘電分極を含む貧弱な電気的性質と比較して,純粋なO_2中で冷却した膜は,改善された電気特性,例えば,低い漏れ電流(J<7.6×10-4A/cm2)および誘電損失(tanδ<0.045),ならびに強化された圧電応答を示す。特に,純粋なO_2中で冷却したBFO薄膜の強誘電分極は,良好な周波数安定性を示し,2P_r>182μC/cm2@10kHzの大きな固有分極を持ち,これは膜のパルス分極によって実証できた。本事例におけるBFO薄膜の電気的性質における明確な違いは,それらの異なる結晶相と冷却雰囲気によって設計された欠陥化学によって明らかにできる。グラフは,グラフィCopyright The Minerals, Metals & Materials Society 2021 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線回折 ,  エピタクシー ,  *薄膜 ,  分極 ,  誘電損失 ,  *強誘電性 ,  漏れ電流 ,  電気特性 ,  パルス ,  三方晶系 ,  正方晶系 ,  損失正接
準シソーラス用語： 圧電応答 ,  強誘電分極 ,  *結晶相 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： BiFeO_3 ,  薄膜 ,  電気分極 ,  結晶相 ,  空孔欠陥 ,  冷却雰囲気

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ar ,  雰囲気 ,  スパッタ ,  薄膜 ,  結晶相 ,  強誘電特性