炭素とプロトンとの共注入により作製したシリコン中の単一G中心【JST・京大機械翻訳】

Baron Yoann; Durand Alrik; Herzig Tobias; Khoury Mario; Pezzagna Sebastien; Meijer Jan; Robert-Philip Isabelle; Abbarchi Marco; Hartmann Jean-Michel; Reboh Shay; Gerard Jean-Michel; Jacques Vincent; Cassabois Guillaume; Dreau Anaies

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202215553535060 整理番号：22P0340436

炭素とプロトンとの共注入により作製したシリコン中の単一G中心【JST・京大機械翻訳】

Single G centers in silicon fabricated by co-implantation with carbon and proton

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資料名：
発行年： 2022年04月28日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年04月28日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

光学通信波長での単一光子発光に適合する面積密度を有するシリコンにおけるG中心の作製について報告する。この試料は,種々のフルエンスで炭素イオンとプロトンを局所的に注入するシリコンオンインシュレータウエハから作製した。注入フルエンスの減少は,大きな集合から孤立した単一欠陥へと徐々にスイッチし,G中心の面積密度をΔ≦0.2μm ̄-2まで達する。単一欠陥生成は,強度相関実験で光子アンチバンチングによって実証され,量子技術のためのシリコン中の単一人工原子を生成するための再現性のある手順として著者らのアプローチを確立する。【JST・京大機械翻訳】

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半導体の放射線による構造と物性の変化 , 半導体の格子欠陥

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