二次元強誘電体モノカルコゲン化物における磁壁滑りにより誘起された分極スイッチング【JST・京大機械翻訳】

Petralanda Urko; Olsen Thomas

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202215634974246 整理番号：22P0338418

二次元強誘電体モノカルコゲン化物における磁壁滑りにより誘起された分極スイッチング【JST・京大機械翻訳】

Polarization switching induced by domain wall sliding in two-dimensional ferroelectric monochalcogenides

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発行年： 2022年04月26日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年11月07日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

偏光の異なる状態間のスイッチ能力は,強誘電体の定義特性から成る。しかし,スイッチングに関与する微視的機構はよく理解されておらず,コヒーレントモノドメインスイッチングに基づく理論的推定は,典型的には実験的に決定した抗電場を桁の大きさで過大評価する。本研究では,二次元強誘電体GeS,GeSe,SnSおよびSnSeにおけるドメイン壁(DW)の詳細な第一原理特性評価を示した。特に,180および90DWsの生成エネルギーおよび移動障壁を計算し,次に,分極スイッチングがDWマイグレーションによって媒介されると仮定して,抗電場に対する一般的表現を導いた。研究した材料にこの方法を適用し,実験的抗電場との良好な一致を得た。計算した抗電場は,GeSe,SnSおよびSnSeにおけるコヒーレントモノドメインスイッチングから予測されるものより2桁小さい。最後に,化合物の光学的性質を研究し,180DWsの存在が吸収スペクトルの著しい赤方偏移をもたらし,DWsの密度が簡単な光学プローブにより決定されることを暗示した。【JST・京大機械翻訳】

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, , 【Automatic Indexing@JST】

強誘電体,反強誘電体,強弾性

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