抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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高分子科学において,高分子鎖の架橋は,一次元構成鎖と比較して,欠陥(架橋部位)による次元と効果的なシードの増加のために,実質的に修正した系をもたらす。この概念に触発されて,単一サイトで架橋したいくつかの一次元Su-Schrieffer-Heeger(SSH)格子から成る一般化トポロジーメッシュの単位セルのトポロジー特徴を解析した。結合サイトは,自明な領域で保護状態の欠陥として機能し,また,トポロジー領域で中心を中心とする保護局在化状態を持つバルク内部にエッジを誘起する。2つ以上の格子が欠陥によって結合されたとき,1より大きいグラフ次元,交差鎖は欠陥の周りの2つのタイプの局在化固有状態をサポートする。1つのタイプは,架橋強度を修正することにより高度に制御可能であり,バルクバンドに沈み込むことから,高度に単離され保護されるようになる。これらのユニークな特徴は,外部貯留層に非相反するSSH鎖に対する前述の系の等価性によって説明でき,空間的に対称な固有状態を有するバルクと局在状態の両方に対するユニークな擬似スペクトルを与える。交互サイトに利得と損失を加えることによって非Hermitityを適用して,トポロジー結合レーザファブリックの可能な実現に関連付けて,著者らは,トポロジー的に保護された中間ギャップ状態の欠陥の近くの局所化から局所化への急激な遷移を観察した。利得損失パラメータを変化させることにより,パリティ-時間対称性が破れた例外点における支持状態のカスケード空間対称性破壊を,局在化とバルク状態の両方に対して観測し,種々の新しい相を示した。【JST・京大機械翻訳】