二次元材料とvan der Waalsヘテロ接合における近接場静電効果の解析的理論【JST・京大機械翻訳】

Zhou Qunfei; Kotiuga Michele; Darancet Pierre

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202215863337993 整理番号：22P0346751

二次元材料とvan der Waalsヘテロ接合における近接場静電効果の解析的理論【JST・京大機械翻訳】

Analytical Theory of Near-Field Electrostatic Effects in Two-Dimensional Materials and van der Waals Heterojunctions

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発行年： 2022年05月09日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年05月09日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

二次元(2D)材料の近傍(>3AA)における近接場静電効果の定量的解析モデルを導出し,検証した。2D材料の電子密度に対する近平面点電荷仮説のPoisson方程式を解くことにより,この公式は,面外減衰と密度汎関数理論(DFT)計算ポテンシャルの面内変調を定量的に捉える。電子密度仮説を迅速に構築するための方法を提供し,それを六方晶単分子層(BN,AlN,GaN)およびモノカルコゲン化物(GeS,GeSe,GeTe,SnS,SnSe,SnTe,PbS,PbSe,PbTe)およびそれらの曲げおよび極性歪の場合に適用した。DFT計算の到達を超える周期性を持つねじれ超格子において生じる材料/角度特異的モミール’eポテンシャルを予測するために,著者らのモデルがいかに直接適用できるかを示した。【JST・京大機械翻訳】

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半導体結晶の電子構造

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