遷移金属ジカルコゲナイドにおける動的励起子相互作用と結合のイメージング【JST・京大機械翻訳】

Purz Torben L.; Martin Eric W.; Holtzmann William G.; Rivera Pasqual; Alfrey Adam; Bates Kelsey M.; Deng Hui; Xu Xiaodong; Cundiff Steven T.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202215901267430 整理番号：22P0291701

遷移金属ジカルコゲナイドにおける動的励起子相互作用と結合のイメージング【JST・京大機械翻訳】

Imaging dynamic exciton interactions and coupling in transition metal dichalcogenides

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発行年： 2022年02月18日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年02月18日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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遷移金属ジカルコゲン化物(TMD)は,量子情報科学と関連デバイス応用に対する可能な材料プラットフォームと考えられている。TMD単分子層において,デフェージング時間と不均一性は,任意の量子情報応用にとって重要なパラメータである。TMDヘテロ構造では,結合強度と層間励起子寿命も興味あるパラメータである。しかし,TMDにおける多くの実証は,サンプル上の特定のスポットでのみ実現することができ,これらの応用のスケーラビリティへの挑戦を示す。ここでは,多次元コヒーレントイメージング分光法(MDCIS)を用いて,MoSe_2単層に対するデフェージング,不均一性,および歪を含む基礎となる物理学に光を当て,量子情報応用に対する有望で好ましくない領域の両方を同定した。さらに,同じ技術をMoSe_2/WSe_2ヘテロ構造に適用した。歪および誘電環境変化の顕著な存在にもかかわらず,コヒーレントおよびインコヒーレント結合ならびに層間励起子寿命は,試料全体にわたってロバストである。この均一性は,デバイス応用の悪い試料を示唆する,かなり不均一な層間励起子光ルミネセンス分布である。このロバスト性は,量子情報科学における次世代材料プラットフォームとしてのTMDに対する事例を強化する。【JST・京大機械翻訳】

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半導体結晶の電子構造 , 半導体のルミネセンス , 励起子

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