SCAN密度汎関数によるHgBa_2Ca_n-1Cu_nO_2n+2+xの第一原理電子構造研究【JST・京大機械翻訳】

Tatan Alpin N.; Haruyama Jun; Sugino Osamu

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202215974833825 整理番号：22P0330141

SCAN密度汎関数によるHgBa_2Ca_n-1Cu_nO_2n+2+xの第一原理電子構造研究【JST・京大機械翻訳】

First-principles electronic structure investigation of HgBa$_{2}$Ca$_{n-1}$Cu$_{n}$O$_{2n+2+x}$ with the SCAN density functional

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発行年： 2022年04月12日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年05月04日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

第一原理計算を行い,非ドープ親化合物(x=0)に対してn=6までのHgBa_2Ca_n-1Cu_nO_2n+2+x銅酸化物の電子構造を研究し,SCANメタ-GGA密度汎関数によりドープ化合物(x>0)に対してn=3まで調べた。著者らの計算は,CuO_2面の数とともに減少するエネルギーギャップを有する親化合物の反強磁性絶縁体基底状態を予測する。実験と一致するxによる構造,電子および磁気秩序の進展を報告した。Sommerfeldパラメータのピークに現れる単層化合物に対して,x≒0.25のFermi準位における状態密度の増強を見出し,これは,最近,全ての銅酸化物に対する量子臨界性の一般的な特徴として議論されてきた。【JST・京大機械翻訳】

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酸化物系超伝導体の物性

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