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J-GLOBAL ID：202202215979078844   整理番号：22A0415227

GeO_2被覆ガラス上のGeSn薄膜の固相結晶化【JST・京大機械翻訳】

Solid-Phase Crystallization of GeSn Thin Films on GeO₂-Coated Glass

著者 (6件)： Mizoguchi Takuto (Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, Japan) ,  Ishiyama Takamitsu (Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, Japan) ,  Moto Kenta (Interdisciplinary Graduate School of Engineering Sciences, Kyushu University, 6-1 Kasuga-koen, Kasuga, Fukuoka, 816-8580, Japan) ,  Imajo Toshifumi (Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, Japan) ,  Suemasu Takashi (Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, Japan) ,  Toko Kaoru (Institute of Applied Physics, University of Tsukuba, 1-1-1 Tennodai, Tsukuba, Ibaraki, 305-8573, Japan)
資料名： Physica Status Solidi. Rapid Research Letters  (Physica Status Solidi. Rapid Research Letters)
巻： 16  号： 1  ページ： e2100509  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1880A  ISSN： 1862-6254  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶Ge薄膜は次世代薄膜トランジスタの有望な候補である。しかし,欠陥誘起アクセプタの高密度によるFermi準位制御の困難さはデバイス応用の主な問題の一つである。ここでは,GeO_2調製とSn添加を,最近開発したGe層の先進低温(375°C)固相結晶化に組み合わせた。GeO_2下層は,低いSn組成(<4%)で効果的に動作し,約5の倍率で粒径を拡大した。適切な量の非置換Snはアクセプタ欠陥を減少させ,ポストアニーリング(500°C)を結合することにより3×1016cm-3の最小正孔濃度を達成した。この正孔濃度は非ドープ多結晶Ge系薄膜に対して最低レベルであり,不純物ドーピングによってそれらのFermi準位を広く制御できる。より低い正孔濃度は結晶粒界のより高いエネルギー障壁高さを提供するが,大きな結晶粒(15μm直径)のため,正孔移動度は190cm2V-1s-1に維持された。この成果は,先進薄膜トランジスタを含む,種々の半導体デバイスにおけるポリGe系薄膜の実装の道を開く。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： アクセプタ ,  *結晶化 ,  結晶粒界 ,  低温 ,  *薄膜 ,  不純物 ,  *ゲルマニウム ,  *スズ ,  薄膜トランジスタ ,  Fermi準位 ,  多結晶 ,  ドーピング ,  結晶粒 ,  *固相
準シソーラス用語： 正孔移動度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： アクセプタ欠陥 ,  絶縁体上のGeSn ,  低温成長 ,  多結晶薄膜

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 被覆ガラス ,  薄膜 ,  固相 ,  結晶化