遷移金属ジカルコゲナイドにおける調整可能なKuboギャップと電荷注入を伴うスクイーズド金属液滴【JST・京大機械翻訳】

Yuan Jiaren; Chen Yuanping; Xie Yuee; Zhang Xiaoyu; Rao Dewei; Guo Yandong; Yan Xiaohong; Feng Yuanping; Cai Yongqing

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202215996236227 整理番号：22P0281049

遷移金属ジカルコゲナイドにおける調整可能なKuboギャップと電荷注入を伴うスクイーズド金属液滴【JST・京大機械翻訳】

Squeezed metallic droplet with tunable Kubo gap and charge injection in transition metal dichalcogenides

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発行年： 2022年01月27日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年01月27日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

ナノスケールへのバルク金属の大きさの収縮は,電子エネルギー準位の離散性,いわゆるKuboギャップをもたらす。波長可変でサイズに依存するKuboギャップを持つ電子特性の正規化は,魅力的な光子放出と電子トンネリングを与える。通常の3次元(3D)金属クラスタとは対照的に,ここではKuboギャップが半導体多形(すなわち,1H相MoTe_2)に埋め込まれた二次元(2D)金属遷移金属ジカルコゲン化物(すなわち,1T′相MoTe_2)ナノクラスタで達成できることを示した。このような1T’-1H MoTe_2ナノドメインは,2D空間でスクイーズされた3D金属液滴に似ており,強い分極カタストロフィーを示し,同時に,従来のデルタギャップ3Dクラスタに存在しない結合完全性を維持する。ホスト2D MoTe_2の弱いスクリーニングは,このような擬金属系の光子放出と1T’-1H-1T’ホモ接合におけるキャリアの弾道注入をもたらし,センサと2D再構成デバイスへの応用を見出す。【JST・京大機械翻訳】

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塩 , 半導体結晶の電子構造

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