無限層ニッケル酸塩における異常な正孔ドーピングに依存する電子不安定性とElectron-フォノン結合【JST・京大機械翻訳】

Sui Xuelei; Wang Jianfeng; Ding Xiang; Zhou Ke-Jin; Qiao Liang; Lin Haiqing; Huang Bing

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202216193255148 整理番号：22P0294516

無限層ニッケル酸塩における異常な正孔ドーピングに依存する電子不安定性とElectron-フォノン結合【JST・京大機械翻訳】

Unusual Hole-doping-dependent Electronic Instability and Electron-Phonon Coupling in Infinite-layer Nickelates

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発行年： 2022年02月24日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年02月24日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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銅酸塩中の正孔ドーピング下の超伝導と電荷密度波(CDW)間の相互作用は,凝縮物質物理学における中心現象の1つである。最近,CDWsはCaCuO_2類似ニッケル酸塩RNiO_2(R=La,Nd)でも観察されたが,銅酸化物に比べて基本的に異なる正孔ドーピング依存性挙動を示し,その起源に関する挑戦的な疑問を提起した。本論文では,電子不安定性(EI)とモーメント依存性電子-フォノン結合(MEPC)が,主にNi3dx2-y2とR5dz2によってそれぞれ寄与され,RNiO_2におけるCDW生成の可能な理由であると提案した。正孔ドーピングなしで,Fermi準位を横切るvan Hove特異性(VHS)のユニークな特徴によって誘起された強いFermi表面ネスティング(FSN)は,RNiO_2中に存在したが,CaCuO_2には存在せず,EIとMEPCの異常な温度不感特性は,RNiO_2中でかなり高い温度CDWをもたらした。正孔ドーピングの下で,VHSのシフトによるNi3dx2-y2の還元FSNとR5dz2の占有の減少は,それぞれRNiO_2中のEIとMECPを大きく弱め,CDW形成を抑制した。著者らの理論は,いくつかのプーズリング実験観察に対する可能な説明を提供するだけでなく,ニッケル酸塩および銅酸塩における正孔ドーピング依存EIおよびMEPCに関する統一理解も確立した。【JST・京大機械翻訳】

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酸化物系超伝導体の物性

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