エピタキシャルグラフェンの短期硝酸ドーピングの分光学的評価【JST・京大機械翻訳】

Tran Ngoc Thanh Mai; Mhatre Swapnil M.; Santos Cristiane N.; Biacchi Adam J.; Kelley Mathew L.; Hill Heather M.; Saha Dipanjan; Liang Chi-Te; Elmquist Randolph E.; Newell David B.; Hackens Benoit; Hacker Christina A.; Rigosi Albert F.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202216300013225 整理番号：22P0332935

エピタキシャルグラフェンの短期硝酸ドーピングの分光学的評価【JST・京大機械翻訳】

Spectroscopic assessment of short-term nitric acid doping of epitaxial graphene

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発行年： 2022年04月15日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年04月15日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

本研究は,硝酸を吸着剤として用いるとき,エピタキシャルグラフェンデバイスにおける正孔ドーピングの推移に関する情報を報告する。真空条件下で,脱着プロセスを,対応するデータから関連する時間スケールを抽出するために,電気的および分光学的手段によって監視した。このようなデバイス加工は,大規模な金属ゲーティングに適切な代替となり得るので,正孔ドーピングの可逆的性質を理解することが極めて重要である。ほとんどの測定は室温の曝露後に,また,いくつかの電気輸送測定に対して,1.5Kで行った。真空条件を多くの測定に適用し,このドーピング法を用いたデバイスを測定する実験室条件を複製した。輸送測定からの関連する時間スケールをX線光電子分光法およびFourier変換赤外分光法測定の結果と比較し,後者を周囲条件で行い,Reststrahlenバンドにおけるスペクトルの計算を伴った。【JST・京大機械翻訳】

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炭素とその化合物 , 半導体結晶の電気伝導

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