水素および酸素吸着による単層CrI_3の顕著な増強Curie温度:第一原理計算【JST・京大機械翻訳】

Rassekh Maedeh; He Junjie; Shayesteh Saber Farjami; Palacios Juan Jose

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202216313799643 整理番号：22P0174879

水素および酸素吸着による単層CrI_3の顕著な増強Curie温度:第一原理計算【JST・京大機械翻訳】

Remarkably enhanced Curie temperature in monolayer CrI3 by hydrogen and oxygen adsorption: A first-principles calculations

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発行年： 2020年07月24日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年07月24日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

ポストシリコンマイクロエレクトロニクスにおける2次元(2D)材料のユニークな性質とそれらの有望な応用は,過去10年間で大きな注目を浴びている。最近,CrI_3単分子層の面外容易軸を有する強磁性秩序が観察され,Curie温度45Kで報告されている。ここでは,密度汎関数理論(DFT)計算を用いて,水素と酸素の吸着が,CrI_3単分子層の構造,電子,および磁気特性にどのように影響するかを研究した。結果は,構造が水素の吸着によってほとんど変化しないが,酸素の吸着は完全にそれを歪めることを示した。また,水素と酸素原子の吸着の両方が単分子層の電子と磁気特性に大きく影響することを見出した。水素はCr原子の磁気モーメントを消光するが,酸素はギャップ中に不純物バンドを導入する。興味深いことに,完全水素化によるCurie温度の強い増強を見出し,一方,結果はOに対して決定的ではなかった。この結果は,スピントロニクス応用のための2D磁石の電子および磁気特性を操作する簡単で効果的なアプローチを示唆している。【JST・京大機械翻訳】

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その他の無機化合物の磁性

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