エピタキシャル成長六方晶Ge-2HにおけるI_3型基底積層欠陥の成長関連形成機構【JST・京大機械翻訳】

Vincent Laetitia; Fadaly Elham M. T.; Renard Charles; Peeters Wouter H. J.; Vettori Marco; Panciera Federico; Bouchier Daniel; Bakkers Erik PA. M; Verheijen Marcel A.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202216363167311 整理番号：22P0024236

エピタキシャル成長六方晶Ge-2HにおけるI_3型基底積層欠陥の成長関連形成機構【JST・京大機械翻訳】

Growth-related formation mechanism of I$_3$-type basal stacking fault in epitaxially grown hexagonal Ge-2H

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発行年： 2022年01月06日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年01月06日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Geの六方晶-2H結晶相は,最近,グループIV半導体(GeとSiGe)の付加的な光電子機能の新しい展望を提供する中赤外領域における有望な直接バンドギャップ半導体として出現した。このような六方晶(2H)Ge相の制御合成は,テンプレートとしてウルツ鉱型GaAsナノワイヤを用いて克服できる挑戦である。しかし,成長条件に依存して,I_3型の異常な基底積層欠陥(BSF)が準安定2H構造中に形成される。そのようなコア/シェルヘテロ構造の成長を,化学蒸着を用いた環境透過型電子顕微鏡によって,その場および実時間で観察した。観察はGe-2Hエピ層のステップフロー成長の直接証拠を提供し,不安定な成長中のI_3-BSFの成長関連形成を明らかにした。それらの生成条件を動的に調べた。これらのその場観察を通して,m面基板上に成長した準安定六方晶2Hまたはウルツ鉱型構造に対して有効なI_3型BSFの核形成のためのシナリオを提案した。SiGe-2Hの完全な結晶合成のために,それらの形成を避ける条件を同定した。【JST・京大機械翻訳】

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