文献

J-GLOBAL ID：202202216422862011   整理番号：22A0943485

低温オゾン再酸化アニーリングにより形成したSiC/SiO_2界面特性【JST・京大機械翻訳】

SiC/SiO₂ interface properties formed by low-temperature ozone re-oxidation annealing

著者 (6件)： Yin Zhipeng (Key Laboratory of Intelligent Control and Optimization for Industrial Equipment (Dalian University of Technology), Ministry of Education, School of Control Science and Engineering, Faculty of Electronic Information and Electrical Engineering, Dalian University of Technology, Dalian, 11602...) ,  Wei Shengsheng (Key Laboratory of Intelligent Control and Optimization for Industrial Equipment (Dalian University of Technology), Ministry of Education, School of Control Science and Engineering, Faculty of Electronic Information and Electrical Engineering, Dalian University of Technology, Dalian, 11602...) ,  Bai Jiao (Key Laboratory of Intelligent Control and Optimization for Industrial Equipment (Dalian University of Technology), Ministry of Education, School of Control Science and Engineering, Faculty of Electronic Information and Electrical Engineering, Dalian University of Technology, Dalian, 11602...) ,  Xie Weiwei (Key Laboratory of Intelligent Control and Optimization for Industrial Equipment (Dalian University of Technology), Ministry of Education, School of Control Science and Engineering, Faculty of Electronic Information and Electrical Engineering, Dalian University of Technology, Dalian, 11602...) ,  Qin Fuwen (State Key Laboratory of Materials Modification By Laser, Ion, and Electron Beams (Ministry of Education), Dalian University of Technology, Dalian, 116024, China) ,  Wang Dejun (Key Laboratory of Intelligent Control and Optimization for Industrial Equipment (Dalian University of Technology), Ministry of Education, School of Control Science and Engineering, Faculty of Electronic Information and Electrical Engineering, Dalian University of Technology, Dalian, 11602...)
資料名： Ceramics International  (Ceramics International)
巻： 48  号： 8  ページ： 10874-10884  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0705A  ISSN： 0272-8842  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温(400°C)のSiC/SiO_2界面近くの欠陥を除去するために,高濃度および高反応性O原子を導入することができるECRオゾンプラズマ再酸化アニーリング(ROA)法を提案した。この方法は,O_2,O_3およびO_2プラズマROA法を含む他のROA法と比較して,SiC MOSキャパシタの電気的性能を効果的に改善できる。二次イオン質量分析(SIMS),原子間力顕微鏡(AFM)およびX線光電子分光法(XPS)を行った。結果は,O_3P-ROAが界面近くの欠陥を明らかに再酸化し,界面近傍領域の元素分布とSiC/SiO_2界面の形態を含む界面近傍特性を最適化することを示した。さらに,SiC MOSキャパシタの近界面特性に及ぼす温度および酸素元素の影響を,本論文で議論した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *界面 ,  コンデンサ ,  最適化 ,  *酸化 ,  プラズマ ,  *焼なまし ,  *低温 ,  酸素 ,  *オゾン ,  *炭化ケイ素 ,  電気特性 ,  X線光電子分光法 ,  原子間力顕微鏡
準シソーラス用語： *界面特性 ,  元素分布 ,  *再酸化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： (A)フィルム ,  (B)界面 ,  (C)電気特性 ,  (D)SiC ,  (D)SiO_2 ,  (E)コンデンサ

分類 (2件)： セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低温 ,  オゾン ,  再酸化 ,  アニーリング ,  SiC ,  界面特性