0.1msを超える緩和時間を持つ製造可能な超伝導キュービットへの経路【JST・京大機械翻訳】

Verjauw J.; Acharya R.; Van Damme J.; Ivanov Ts.; Lozano D. Perez; Mohiyaddin F. A.; Wan D.; Jussot J.; Vadiraj A. M.; Mongillo M.; Heyns M.; Radu I.; Govoreanu B.; Potocnik A.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202216780598490 整理番号：22P0292915

0.1msを超える緩和時間を持つ製造可能な超伝導キュービットへの経路【JST・京大機械翻訳】

Path toward manufacturable superconducting qubits with relaxation times exceeding 0.1 ms

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発行年： 2022年02月21日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年02月21日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

超伝導量子ビットプラットフォームは,実際の量子コンピュータに対するレースにおける大きなスケールに向けて成熟するので,プロセス制御の欠如による量子ビット不均一性による限界が明らかになる。産業規模のCMOS製造設備における高度なプロセス制御から利益を得るには,異なる処理方法が必要である。特に,電流,最先端の超伝導量子ビットに使用される二重角度蒸発とリフトオフ技術は,一般的に現代の製造可能なプロセスに不適合である。ここでは,完全CMOS互換量子ビット製作法を示し,最先端との対で,長いコヒーレンスと緩和時間を有するオーバーラップJosephson接合デバイスからの結果を示した。接合製作中の臨界ステップであるArgonミリングとサブトラクティブエッチングプロセスは,平均量子ビットエネルギー緩和時間T_1が70μsに達するキュービットをもたらし,最大値は100μsを超えた。さらに,著者らの結果が表面損失によってまだ制限され,接合損失によって決定的ではないことを示した。したがって,提示した製造プロセスは,高コヒーレンス超伝導量子ビットのための製造可能な300mm CMOSプロセスに向けた重要なマイルストーンを herし,超伝導デバイスアーキテクチャのスケーリングを前進させる可能性を有する。【JST・京大機械翻訳】

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Josephson接合・素子

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