文献

J-GLOBAL ID：202202217028028918   整理番号：22A0286756

Fe_2CoSi薄膜における厚み依存静磁気相互作用と分域状態配置 OFC解析【JST・京大機械翻訳】

Thickness-Dependent Magnetostatic Interactions and Domain State Configuration in Fe₂CoSi Thin Films-FORC Analysis

著者 (4件)： Jana Apu Kumar (Department of Physics, Magnetic Materials and Device Physics Laboratory, Indian Institute of Technology at Hyderabad, Hyderabad, India) ,  Raja M. Manivel (Defence Metallurgical Research Laboratory (DMRL), Hyderabad, India) ,  Chelvane J. Arout (Defence Metallurgical Research Laboratory (DMRL), Hyderabad, India) ,  Jammalamadaka S. Narayana (Department of Physics, Magnetic Materials and Device Physics Laboratory, Indian Institute of Technology at Hyderabad, Hyderabad, India)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 58  号： 1  ページ： ROMBUNNO.2000106.1-6  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる厚さ(t=5,10,15および20nm)の逆ホイスラー合金Fe_2CoSi薄膜の室温一次反転曲線(FORC)解析に関する結果について報告する。この解析は,磁性結晶粒間の静磁気相互作用がFe_2CoSi薄膜の厚さの増加とともに増大することを推論する。実際,そのような結果はスイッチング場分布(SFD)の解析で確認された。厚さが5から20nmに増加すると,マルチドメイン(MD)変換に対する単一ドメイン(SD)が証明された。SD状態は,B_u=0軸の周りの対称輪郭によって確認され,一方,マルチドメイン状態は,B_u=0軸に平行な輪郭の中心的ピークと広がりなしで確認された。異なる厚さに対するドメイン状態配置の変化は,将来のスピントロニクス応用に対するFe_2CoSiホイスラー合金膜の応用を強化するであろう。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スイッチング ,  *相互作用 ,  対称性 ,  *分域 ,  厚み ,  結晶粒 ,  磁性 ,  ホイスラー合金 ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： マルチドメイン ,  単分域 ,  *静磁気相互作用 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (5件)： 厚み ,  静磁気相互作用 ,  分域 ,  OFC ,  解析