シリコンベース基板によるビスマスのトポロジカルバンドギャップの調整【JST・京大機械翻訳】

Wittemeier Nils; Ordejon Pablo; Zanolli Zeila

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202217100827658 整理番号：22P0296764

シリコンベース基板によるビスマスのトポロジカルバンドギャップの調整【JST・京大機械翻訳】

Tuning the Topological Band Gap of Bismuthene with Silicon-based Substrate

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発行年： 2022年02月28日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年02月28日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ビスマスmonolayer(ビスマスエンのいくつかの準安定多形はトポロジー的に自明でない相をホストできる。しかしながら,これらの多形が基板との相互作用を通して安定になるかどうかは,それらのトポロジー特性が保存され,トポロジー相をよりロバストにする最適基質を設計する方法に,まだ不明である。第一原理技術を用いて,ビスマス多形が炭化けい素(SiC),シリコン(Si),二酸化ケイ素(SiO_2)上で安定になり,ヘテロ構造における近接相互作用が,結合が弱い場合でも,単分子層の電子構造に著しい影響を及ぼすことを示した。van der Waals相互作用と副格子対称性の破壊が電子構造の変化を駆動する主な要因であることを示した。本研究は,基板相互作用がビスマス多形のトポロジー特性を強化し,実験研究と技術的応用に利用できることを示した。【JST・京大機械翻訳】

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, 【Automatic Indexing@JST】

無機化合物一般及び元素 , 金属薄膜

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