半導体中の不純物と点欠陥の電子構造【JST・京大機械翻訳】

Zhang Yong

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202217184536840 整理番号：22P0042058

半導体中の不純物と点欠陥の電子構造【JST・京大機械翻訳】

Electronic structures of impurities and point defects in semiconductors

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発行年： 2017年09月12日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2018年09月15日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

半導体における不純物理論の短い歴史を提供した。束縛励起子モデルを,ドナーおよびアクセプタ様不純物および点欠陥の両方に対して提案し,「浅い」および「深い」不純物および点欠陥に対する統一理解を提供した。異なる密度汎関数理論に基づくアプローチを用いた計算結果の根底にある物理学を議論し,束縛励起子モデルのフレームワークで解釈した。【JST・京大機械翻訳】

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, 【Automatic Indexing@JST】

不純物・欠陥の電子構造

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