ねじれ二層グラフェンにおける調整可能なモノリシックSQUID【JST・京大機械翻訳】

Portoles Elias; Iwakiri Shuichi; Zheng Giulia; Rickhaus Peter; Taniguchi Takashi; Watanabe Kenji; Ihn Thomas; Ensslin Klaus; de Vries Folkert K.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202217248708933 整理番号：22P0282436

ねじれ二層グラフェンにおける調整可能なモノリシックSQUID【JST・京大機械翻訳】

A Tunable Monolithic SQUID in Twisted Bilayer Graphene

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発行年： 2022年01月31日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年01月31日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

磁性角ねじれ二層グラフェン(MATBG)は,静電ドーピングによって調整することができる物質の多くの相関状態ホストである。超伝導は,かなり注目され,その背後の機構は,活発な議論のトピックである。MATBGは多数の輸送と走査プローブ実験によって実験的に特性化された。この材料は,モノリシックJosephson接合の実現によって証明されたように,超伝導エレクトロニクスのための多目的プラットフォームとして浮上した。しかし,位相コヒーレント現象が測定されているが,超伝導相の制御はこれまで実証されていない。ここでは,超伝導位相差が磁場を通して制御されるMATBGにおける超伝導量子干渉素子(SQUID)を示した。臨界電流の磁気振動を観測し,超伝導電荷キャリアに対する2eの有効電荷と一致する長距離コヒーレンスを示した。接合を通して臨界電流を静電的に制御することにより,非対称および対称SQUID構造の両方を調整した。この同調性により,デバイスのインダクタンスを調べ,2{μ}Hまでの値を得た。さらに,デバイスのJosephson接合の1つの電流相関係を直接観察した。著者らの結果は,MATBGの超伝導デバイスをスケールアップでき,材料の特性を明らかにするために使用できることを示した。この型のデバイスのより体系的な実現を助長し,材料の微視的特性が抽出される精度を増すことを期待する。また,位相滑り接合あるいは高速度インダクタンス検出器のようなより複雑なデバイスを考案する。【JST・京大機械翻訳】

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Josephson接合・素子

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