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J-GLOBAL ID：202202217509426078   整理番号：22A0956006

300°C高温応用のための28nm UTBB FDSOIにおける温度と小さいサブ閾値勾配による低閾値電圧シフト【JST・京大機械翻訳】

The low threshold-voltage shift with temperature and small subthreshold-slope in 28 nm UTBB FDSOI for 300 °C high-temperature application

著者 (33件)： Zhao S S (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, People’s Republic of China) ,  Zhao S S (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Zhao S S (Key Laboratory of Science and Technology on Silicon Devices, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Gao L C (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Gao L C (Key Laboratory of Science and Technology on Silicon Devices, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Li X J (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Li X J (Key Laboratory of Science and Technology on Silicon Devices, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Zhang H Y (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, People’s Republic of China) ,  Zhang H Y (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Zhang H Y (Key Laboratory of Science and Technology on Silicon Devices, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Ni T (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Ni T (Key Laboratory of Science and Technology on Silicon Devices, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Wang J J (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Wang J J (Key Laboratory of Science and Technology on Silicon Devices, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Gao J T (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Gao J T (Key Laboratory of Science and Technology on Silicon Devices, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Bu J H (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Bu J H (Key Laboratory of Science and Technology on Silicon Devices, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Li D L (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Li D L (Key Laboratory of Science and Technology on Silicon Devices, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Yan W W (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Yan W W (Key Laboratory of Science and Technology on Silicon Devices, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Zeng C B (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Zeng C B (Key Laboratory of Science and Technology on Silicon Devices, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Wang Z J (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, People’s Republic of China) ,  Wang Z J (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Zhao F Z (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Zhao F Z (Key Laboratory of Science and Technology on Silicon Devices, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Luo J J (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Luo J J (Key Laboratory of Science and Technology on Silicon Devices, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Han Z S (University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, People’s Republic of China) ,  Han Z S (Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China) ,  Han Z S (Key Laboratory of Science and Technology on Silicon Devices, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 55  号： 22  ページ： 225104 (8pp)  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 部分空乏シリコンオンインシュレータ(PDSOI)MOSFETは集積回路による225°C高温電子システム応用において広く用いられている。しかし,プロセスノードは長期間0.5μmに滞在し,さらなるブレークスルーは達成できなかった。本論文は,低閾値電圧(LVT)構造を有する28nm超薄体とボックス完全空乏SOI(FDSOI)CMOSトランジスタの高温特性を報告する。実験結果は,V_tシフトが,0.59mV°C-1の低い温度とともに変化し,サブ閾値勾配(SS)が300°Cで145.35mVdec-1であり,0.13μmのPDSOIと比較して,関連するパラメータが,それぞれ3.7倍と2.2倍最適化されたことを示した。理論解析と組み合わせて,超体FDSOIは,高温において0.13μm PDSOIよりLVTドリフト率とより良いSSを有することを証明した。この性能の利点は,主にバックゲート効果に関連したV_Tとβ_VT係数の違いによる。負のバックゲートバイアスの下で,I_on/l_off比は,温度によるV_tシフト変化に影響することなく,2桁増加し,これは,FDSOIが300°C以上で高温応用可能であることを証明した。本論文は,ミクロスケールからナノスケールまでの将来の高温システム集積回路のための実質的な支持を提供する。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *高温 ,  最適化 ,  集積回路 ,  MOSFET ,  ドリフト ,  比率 ,  効果 ,  ホットエレクトロン
準シソーラス用語： サブ閾値 ,  バックゲート ,  ナノスケール ,  高温特性 ,  理論解析 ,  *閾値電圧シフト ,  ゲートバイアス , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 応用 ,  FDSOI ,  サブ閾値 ,  勾配 ,  低閾値電圧 ,  シフト