MA_2N_4とJanus VSiGeN_4単分子層における固有強磁性と制限熱力学的安定性【JST・京大機械翻訳】

Dey Dibyendu; Ray Avijeet; Yu Liping

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202217708916343 整理番号：22P0308255

MA_2N_4とJanus VSiGeN_4単分子層における固有強磁性と制限熱力学的安定性【JST・京大機械翻訳】

Intrinsic ferromagnetism and restrictive thermodynamic stability in MA$_2$N$_4$ and Janus VSiGeN$_4$ monolayers

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発行年： 2022年03月22日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年06月28日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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著しく安定なMoSi_2N_4単分子層の精巧な実験的発見は,MA_2Z_4族(M=遷移金属,A=Si,Ge,およびZ=N,P,As)における予測された磁性二次元(2D)材料の手にかなった。これらの磁性単分子層は動的に安定であると予測されたが,今までに合成されたものはなかった。本研究では,第一原理熱力学安定性解析から,窒化物だけが熱力学的に安定であり,これはNリッチ条件下で起こることを示した。この発見に基づいて,VSiGeN_4とVSiSnN_4の2つの強磁性半導体Janus単分子層を提案した。それらは動的かつ熱的に安定であるが,前者だけが熱力学的に安定である。興味深いことに,Janus VSiGeN_4とVSiSnN_4単分子層はVSi_2N_4単層と比較して弱い面内異方性を示した。これらの2つの新たなJanus磁性半導体はスピントロニクス応用のための2D磁性とスピン制御を研究するための機会を提供する。【JST・京大機械翻訳】

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無機化合物一般及び元素 , 半導体薄膜

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