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J-GLOBAL ID：202202217736025956   整理番号：22A0433568

短期記憶効果を持つZnOベースメモリスタの人工シナプス特性【JST・京大機械翻訳】

Artificial synapse characteristics of a ZnO-based memristor with a short-term memory effect

著者 (4件)： Yun Seokyeon (Division of Electronics and Electrical Engineering, Dongguk University, Seoul 04620, South Korea) ,  Mahata Chandreswar (Division of Electronics and Electrical Engineering, Dongguk University, Seoul 04620, South Korea) ,  Kim Min-Hwi (Department of Electrical and Computer Engineering, Inter-University Semiconductor Research Center (ISRC), Seoul National University, Seoul 08826, South Korea) ,  Kim Sungjun (Division of Electronics and Electrical Engineering, Dongguk University, Seoul 04620, South Korea)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 579  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 神経形態学的システムで使用する人工シナプスをエミュレートするために設計したNi/ZnO/窒化チタンメムリスタデバイスを作製し,特性化した。化学的および材料キャラクタリゼーションを,紫外光電子分光法,エネルギー分散X線分光法および透過型電子顕微鏡を用いて行った。このデバイスはDCスイープ電圧の増加を伴うマルチレベルセルとして緩やかな抵抗スイッチングを示した。電流減衰は,セットプロセス後に観察され,短期メモリ応用において,それがうまく使用できることを示した。提案したデバイスの短期記憶と長期記憶挙動の両方を実証した。高いコンダクタンスは高電圧と短い時間間隔の反復パルスにより維持され,一方,低電圧と短い時間間隔の反復パルスを用いるとコンダクタンスは低かった。パルス間隔依存性対パルス促進特性を用いて人工シナプスを模倣し,多重サイクルにわたって観察した増強と抑制を伴った。また,784×10交差点アレイネットリストとSPICE抵抗モデルを用いた短期メモリ効果に基づく劣化による提案したコンダクタンス変調のパターン認識精度を評価した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *記憶装置 ,  電圧 ,  電流 ,  パターン認識 ,  *酸化亜鉛 ,  *シナプス ,  エミュレーション ,  多重化 ,  パルス ,  透過型電子顕微鏡 ,  コンダクタンス
準シソーラス用語： 窒化チタン ,  マルチレベル ,  抵抗スイッチング ,  *メモリスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 神経形態学的システム ,  ZnO ,  短期記憶 ,  メモリスタ

分類 (2件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 短期 ,  記憶効果 ,  ZnO ,  メモリスタ ,  人工 ,  シナプス