抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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人工超格子(SL)ポテンシャルをグラフェン中の二次元(2D)Dirac電子ガスのバンド構造工学のために広く採用した。このような工学的電子バンド構造はグラフェンの光学的またはプラズモン的性質を改変できるが,弱い摂動効果(例えば,異方性Drude重量)を超える緊急のポラリトン挙動は報告されていない。ここでは,単層グラフェンにおける1次元(1D)SLポテンシャルの極端な変調が,根底にあるDiracバンド分散を変形させ,Fermi表面近傍の ladder子状エネルギー準位を導入し,これにより,光学伝導率において,緊急のサブバンド間ポラリトン応答をもたらすことを示す。提案システムでは,hBNカプセル化グラフェンを1D周期的メタゲートの上に置いた。さらに,メタゲート下に置かれたバックゲートを第二ゲートとして用い,メタゲートにより直接遮蔽されないグラフェンの領域上のキャリア密度をさらに変調した。強いキャリア密度変調により,グラフェン電子は,深いポテンシャル井戸のアレイを経験し,変調方向に垂直な大きな十分な運動量において,Dirac電子は,全内部反射を介して導波路される。これらの導波路モードは,ほぼ等間隔エネルギーレベルのフラットサブバンドとして現れる。その結果,プラズモン分散において,超強結合を有するハイブリッドサブバンド間ポーラロンが発生した。本研究は,ゲート同調電子バンド構造を有する二次元材料における緊急ポラリトンを探索するための道を開いた。【JST・京大機械翻訳】