促進グラフェンにおけるキャリア密度の低減による超伝導の増強【JST・京大機械翻訳】

Daptary Gopi Nath; Khanna Udit; Walach Eyal; Roy Arnab; Shimshoni Efrat; Frydman Aviad

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202217783338487 整理番号：22P0301319

促進グラフェンにおけるキャリア密度の低減による超伝導の増強【JST・京大機械翻訳】

Enhancement of Superconductivity upon reduction of carrier density in proximitized graphene

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発行年： 2022年03月09日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年03月09日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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低キャリア密度超伝導体である酸化インジウム(InO)膜に結合した単層グラフェンの超伝導転移温度(T_c)は,キャリア密度の減少と共に増加し,グラフェン中の平均電荷中性点に近いことが分かった。このような効果は従来のBCS超伝導体において非常に驚くべきものである。この現象を実験的および理論的に研究した。この解析は,InO膜がグラフェン中にランダム電子と正孔ドープパドルを誘起することを示唆する。逆極性のこれらの領域を横切るJosephson効果は,InO中の超伝導クラスタ間のJosephson結合を,二層ヘテロ構造の全体のTcと共に増強した。この増強は,系の化学ポテンシャルが電子と正孔ドープ領域の電荷中性点の間で調整される場合に最も効果的である。【JST・京大機械翻訳】

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酸化物系超伝導体の物性

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