GaAs-In_xGa_1-xAsコア-シェルNWアレイにおける歪と曲げ工学のためのIn_xGa_1-xAs非対称シェル成長へのフラックスシャドウイング効果の利用【JST・京大機械翻訳】

Humaidi Mahmoud Al; Jakob Julian; Hassan Ali Al; Davtyan Arman; Schroth Philipp; Feigl Ludwig; Herranz Jesus; Novikov Dmitri; Geelhaar Lutz; Baumbach Tilo; Pietsch Ullrich

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202217799572668 整理番号：22P0300723

GaAs-In_xGa_1-xAsコア-シェルNWアレイにおける歪と曲げ工学のためのIn_xGa_1-xAs非対称シェル成長へのフラックスシャドウイング効果の利用【JST・京大機械翻訳】

Exploiting of flux shadowing effect on In$_{x}$Ga$_{1-x}$As asymmetric shell growth for strain and bending engineering in GaAs - In$_{x}$Ga$_{1-x}$As core - shell NW arrays

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著者 (11件)： , , , , , , , , , ,
資料名：
発行年： 2022年03月08日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年03月08日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ここでは,分子線エピタキシー(MBE)によるGaAsナノワイヤ(NW)コア上へのIn(x)Ga_(1-x)Asの不均一シェル成長について報告する。成長は,ピッチサイズ(p)が0.1umから10umの範囲の予めパターン化したシリコン基板上に実現した。MBEセルに関する好ましい曲げ方向と基板パターンのレイアウトを考慮して,NW成長軸に沿った歪分布とその後の曲げプロファイルを修正できた。高数密度のNWアレイでは,NWの得られた曲げプロフィルは,ピッチサイズに依存する異なる長さを有する直線(圧力歪)と曲げ(歪)セグメントから成る。曲げと直線NWセグメント長さの正確な制御は,長さ選択歪分布を有するNWベースデバイスを設計するためのレシピを提供する。【JST・京大機械翻訳】

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半導体薄膜 , 半導体の結晶成長

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