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J-GLOBAL ID：202202217918263934   整理番号：22A0828911

半導体応用のための三重四重極誘導結合プラズマ質量分析を用いたSiO_2ナノ粒子の検出【JST・京大機械翻訳】

Detection of SiO₂ nanoparticles using triple-quadrupole inductively coupled plasma-mass spectrometry for semiconductor applications

著者 (1件)： Lim Heung Bin (Department of Chemistry, Dankook University, Dongnam-gu, Cheonan, Chungnam, South Korea)
資料名： Bulletin of the Korean Chemical Society  (Bulletin of the Korean Chemical Society)
巻： 43  号： 2  ページ： 255-260  発行年： 2022年 
JST資料番号： T0051A  ISSN： 0253-2964  CODEN： BKCSDE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三重四重極誘導結合プラズマ質量分析(TQ-ICP-MS)を用いて,20-300nmのサイズを有するSiO_2ナノ粒子の検出法を開発した。SiO_2ナノ粒子の28Si+イオンは,厳しい分子イオン干渉によるICP-MSによる困難なイオンであり,28Si+の質量対電荷比はO_2ガスとの反応によってシフトし,28Si16O+を生成した。ピーク同定を確認するために,既知の標準粒子の時間分解スペクトル(TRS)を得て,粒子半径(Y)対粒子半径(X)に対する平均ピーク面積の相関曲線を最適化ブランク減算後にプロットした。関数Y=aX3はデータに適合し,開発した方法の妥当性を実証した。結果として,他の論文で発表されたサイズ(<80nm)よりはるかに小さい20nmのSiO_2ナノ粒子の存在が本研究で確認され,相関曲線は半導体産業のプロセス化学物質中に存在するナノ粒子のオンラインモニタリングに使用できる。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン ,  干渉 ,  最適化 ,  電荷 ,  *半導体 ,  検出法 ,  ブランク ,  減算 ,  *四重極 ,  半導体工業 ,  *ICP-MS分析 ,  *ナノ粒子
準シソーラス用語： 分子イオン ,  散布図 ,  *一酸化ケイ素 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 汚染制御 ,  ICP-MS ,  粒子サイズの決定 ,  シリカナノ粒子 ,  三重四重極ICP-MS

分類 (1件)： 質量分析  (CC03013N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 応用 ,  三重 ,  四重極 ,  誘導結合プラズマ質量分析 ,  ナノ粒子