CsV_3Sb_5における電荷秩序の時間反転対称性【JST・京大機械翻訳】

Khasanov Rustem; Das Debarchan; Gupta Ritu; Mielke Charles III; Elender Matthias; Yin Qiangwei; Tu Zhijun; Gong Chunsheng; Lei Hechang; Ritz Ethan; Fernandes Rafael M.; Birol Turan; Guguchia Zurab; Luetkens Hubertus

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202217953053695 整理番号：22P0308967

CsV_3Sb_5における電荷秩序の時間反転対称性【JST・京大機械翻訳】

Charge order breaks time-reversal symmetry in CsV$_3$Sb$_5$

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発行年： 2022年03月23日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年03月23日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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最近発見されたバナジウム系カゴメ金属AV_3Sb_5(A= ̄K, ̄Rb, ̄Cs)は,高温において低温と電荷密度波(CDW)秩序で超伝導を示す。この族における電荷秩序状態の顕著な特徴は,バンド構造の根底にあるトポロジー的性質に接続される時間反転対称性(TRSB)を切断することである。本研究では,ゼロ磁場と高磁場ミューオンスピン回転/緩和の強力な組み合わせを用いて,CsV_3Sb_5中の電荷秩序のTRSBの特性と,その異方性特性を研究した。ミューオンスピン偏極の面内および面外成分の温度進展を追跡することにより,ミューオンスピン集合によって感知された内部場幅の増強を,T_TRSB=T_CDW≒95 ̄K以下で観測した。ab面からc軸へのミューオンサイトでの局所磁場方向の変化を伴う内部場幅の付加的増加はT ̄*≒30 ̄K以下で検出された。8 ̄Tの磁場を結晶学的c軸に沿って印加すると,この2段階特性は明確になり,CDW遷移における電子応答の場誘起増強を示した。これらの結果は,CsV_3Sb_5のTRSBが≒95 ̄Kの開始で電荷秩序で,続いて≒30 ̄K以下で増強された電子応答を示す。観測された2段階遷移を,密度汎関数理論計算に従って,エネルギーにおいてほぼ縮退する,異なる電荷秩序不安定性の枠組みの中で考察した。【JST・京大機械翻訳】

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, 【Automatic Indexing@JST】

その他の超伝導体の物性

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