Sr_2RuO_4における一軸応力駆動Lifshitz転移の直接観察【JST・京大機械翻訳】

Sunko V.; Morales E. Abarca; Markovic I.; Barber M. E.; Milosavljevic D.; Mazzola F.; Sokolov D. A.; Kikugawa N.; Cacho C.; Dudin P.; Rosner H.; Hicks C. W.; King P. D. C.; Mackenzie A. P.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202217963059853 整理番号：22P0058537

Sr_2RuO_4における一軸応力駆動Lifshitz転移の直接観察【JST・京大機械翻訳】

Direct Observation of a Uniaxial Stress-driven Lifshitz Transition in Sr$_{2}$RuO$_{4}$

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資料名：
発行年： 2019年03月22日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2019年03月22日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

圧力は相互作用電子系の複雑な相図を横断するクリーンな同調パラメータであり,量子材料の研究において重要な重要性を証明した。制御された一軸圧力の応用は,例えば,非在来型超伝導体Sr_2RuO_4の遷移温度の2倍以上であり,その起源がなお活発な議論下にあるT_c対歪の顕著なピークをもたらす。ここでは,制限試料環境において大きな単軸圧力を受動的に適用するための簡単でコンパクトな方法を開発し,これを利用して,角度分解光電子放出を用いてSr_2RuO_4の電子構造の進化を研究した。単軸応力がγバンドFermi面のLifshitz遷移をいかに駆動するかを直接可視化し,T_cにおけるピークを媒介するFermi準位への関連するvan Hove特異性の歪同調の鍵となる役割を示した。著者らの測定は,Sr_2RuO_4の歪調整電子構造発展の理論的モデルに対する厳密な制約を提供した。より一般的に,著者らの新しい実験的アプローチは,光電子放出だけでなく,大きな圧力セルまたは圧電ベースのデバイスが実装するのが難しい他の実験技術も,歪調整相転移の将来の研究への doorを開く。【JST・京大機械翻訳】

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酸化物系超伝導体の物性 , 金属結晶の電子構造

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