同軸アークプラズマにより作製した半導性超ナノ結晶ダイヤモンド/水素化非晶質炭素複合薄膜の局所構造に及ぼすほう素ドーピング効果:X線吸収分光研究【JST・京大機械翻訳】

Nishikawa Naofumi

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202218063257869 整理番号：21P0047005

同軸アークプラズマにより作製した半導性超ナノ結晶ダイヤモンド/水素化非晶質炭素複合薄膜の局所構造に及ぼすほう素ドーピング効果:X線吸収分光研究【JST・京大機械翻訳】

Boron-Doping Effects on Local Structures of Semiconducting Ultrananocrystalline Diamond/Hydrogenated Amorphous Carbon Composite Thin Films Fabricated via Coaxial Arc Plasma: an X-ray Absorption Spectroscopic Study

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発行年： 2020年09月02日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2021年08月22日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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同軸アークプラズマにより合成した超ナノ結晶ダイヤモンド/水素化非晶質炭素複合薄膜は,非晶質炭素中に埋込まれたダイヤモンド粒と,膜の最大成分である水素化非晶質炭素マトリックスの顕著な構造特徴を有する。非晶質の性質は,UV光線による光誘起キャリアの生成源と同様に,はるかに大きな光吸収係数をもたらすので,これらの膜は,深UV光検出器応用の有望な候補である。いくつかの以前の研究から,膜のp型伝導を,実験条件でホウ素をドーピングすることによって実現した。さらに,それらの光学的および電気的特性を以前に調査した。しかし,デバイスの物理特性に大きく影響する結合構造は研究されていない。本研究では,近端X線吸収微細構造分光キャラクタリゼーションを実施した。結果は,ダイヤモンド表面の結合状態ΔC-Bが優先的に形成され,構造歪みがホウ素ドーピングの初期段階で生じることを明らかにした。膜への更なるドーピングは,デバイス性能劣化の原因になると思われる,ΔΨC=-Cのような不飽和結合の量を減少させた。本研究は,膜の局所構造に及ぼすホウ素ドーピング効果の基本的なケースモデルを示唆した。【JST・京大機械翻訳】

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半導体薄膜 , 炭素とその化合物

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