拡散メモリスタヒステリシスと人工ニューロンスパイクの温度制御【JST・京大機械翻訳】

Pattnaik D. P; Ushakov Y.; Zhou Z.; Borisov P.; Cropper M. D; Wijayantha U. W.; Balanov A. G.; Savel'ev S. E

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202218175834265 整理番号：22P0288183

拡散メモリスタヒステリシスと人工ニューロンスパイクの温度制御【JST・京大機械翻訳】

Temperature control of diffusive memristor hysteresis and artificial neuron spiking

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発行年： 2022年02月11日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2022年02月11日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

記憶装置は,エネルギー効率の良い神経形態学的コンピューティングと将来の人工知能システムのための有望な要素である。拡散メモリスタに対して,素子状態スイッチングは,誘電体マトリックス中のAgナノ粒子のドリフトと拡散によるデバイス端子間の伝導ピラーの逐次形成と消失のため起こる。この過程はデバイス接触への電圧の適用により支配される。ここでは,実験と理論の両方で,温度変化がデバイスにおけるメムリスタ状態と電荷輸送の効率的な制御を提供することを実証した。デバイス温度の上昇と低下により,電流スパイキングが一定印加電圧でメムリスタ回路で生成されるとき,メモリスタ状態をリセットし,残留時間を変えることができることを見出した。著者らの理論モデルは実験と良好な定性的一致を示し,報告された効果を説明するのに役立つ。【JST・京大機械翻訳】

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半導体集積回路

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