抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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強いPauli制限Q2D超伝導体におけるFFLO状態に対するネスティング効果と呼ばれるFermi面効果を調べ,層間電子移動,層間ペアリング,および最伝導層に垂直なものを含む面外磁場のような3D因子の影響に焦点を当てた。場方向におけるFFLOベクトルqの方向のロッキングを除いて,軌道対破壊効果が無視できるように,大きなMakiパラメータを持つシステムを調べた。FFLO状態に対するネスティング効果はQLDシステムにおいて強く,軌道対破壊効果は層に平行な磁場を印加することによって抑制されることが知られている。したがって,ネスティング効果は,垂直磁場に対するFFLO状態の安定性を大きく増強しないことが時々示唆された。この見解とは対照的に,ネスティング効果は,tzが小さければ,垂直場に対するFFLO状態および平行場に対して強く安定化し,Fermi面がkz方向に開放され,そこでは,tzが層間移動エネルギーを表すことを示した。特に,垂直場におけるネスティング効果は,中間層状態で強い。例えば,Dlt_k propsin k_zを有するtz/=0層間状態によって縦糸された円筒Fermi面を有する系では,垂直磁場に対してμ_eHc=1.65Dlt_a0を示し,これは,tz=0の円筒系におけるd波状態のμ_eHc=Dlt_s0,およびd波状態のμ_eHc=1.28Delta_d0のような平行場に対する典型的な値より非常に大きい。この結果は,垂直および平行場に対する高磁場相によって占有された相図の領域がCeCoIn_5およびFeSeにおいて同じ次数である理由を潜在的に提供する。【JST・京大機械翻訳】
