AECD_2As_2におけるバンド反転に対する圧力効果【JST・京大機械翻訳】

DeStefano Jonathan M.; Wang Lin-Lin

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202218476213266 整理番号：21P0065673

AECD_2As_2におけるバンド反転に対する圧力効果【JST・京大機械翻訳】

Pressure Effect on Band Inversion in AECd2As2

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発行年： 2020年12月03日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2021年03月15日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

最近の研究は,磁性EuCd_2As_2が,Weyl点の単一対を含むその磁気秩序に依存して,いくつかの異なるトポロジー状態をホストできると予測した。ここでは,非磁性類似体AECd_2As_2(AE=Ca,Sr,Ba)における圧力により誘起されたバルク特性とバンド反転について,密度汎関数理論計算により研究した。周囲圧力下で,これらの化合物は狭いバンドギャップ半導体であり,実験と一致した。バンドギャップは,伝導帯エッジがCd5s軌道から誘導される反結合状態であるため,バンドギャップを減少できる原子サイズの増大から,より大きな最近接Cd-As距離と同様に,バンドギャップを増加させる傾向があるAE系列を横切るイオン性の増加の両方によって決まる。これら2つの競合効果の組合せは,3つの化合物の中で最小バンドギャップを持つSrCd_2As_2によるAE系列を横切るバンドギャップサイズの非単調変化をもたらした。負圧の適用はこのバンドギャップを減少させ,Γ-A方向に沿ってCd5sとAs4p軌道間のバンド反転を引き起こし,Dirac点の対を誘起する。次に,Dirac点のトポロジー的性質を(10-10)表面上の閉じたFermiアークの発見により確認した。【JST・京大機械翻訳】

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半導体結晶の電子構造 , 分子の電子構造 , 固体デバイス材料

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