抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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最近の研究は,磁性EuCd_2As_2が,Weyl点の単一対を含むその磁気秩序に依存して,いくつかの異なるトポロジー状態をホストできると予測した。ここでは,非磁性類似体AECd_2As_2(AE=Ca,Sr,Ba)における圧力により誘起されたバルク特性とバンド反転について,密度汎関数理論計算により研究した。周囲圧力下で,これらの化合物は狭いバンドギャップ半導体であり,実験と一致した。バンドギャップは,伝導帯エッジがCd5s軌道から誘導される反結合状態であるため,バンドギャップを減少できる原子サイズの増大から,より大きな最近接Cd-As距離と同様に,バンドギャップを増加させる傾向があるAE系列を横切るイオン性の増加の両方によって決まる。これら2つの競合効果の組合せは,3つの化合物の中で最小バンドギャップを持つSrCd_2As_2によるAE系列を横切るバンドギャップサイズの非単調変化をもたらした。負圧の適用はこのバンドギャップを減少させ,Γ-A方向に沿ってCd5sとAs4p軌道間のバンド反転を引き起こし,Dirac点の対を誘起する。次に,Dirac点のトポロジー的性質を(10-10)表面上の閉じたFermiアークの発見により確認した。【JST・京大機械翻訳】