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J-GLOBAL ID：202202218520176209   整理番号：22A0549854

低コストCMOSイメージングセンサを用いたその場定量的電界放出イメージング【JST・京大機械翻訳】

In situ quantitative field emission imaging using a low-cost CMOS imaging sensor

著者 (13件)： Schels Andreas (Institute of Physics, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Universitaet der Bundeswehr Muenchen, 85577 Neubiberg, Germany) ,  Edler Simon (Institute of Physics, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Universitaet der Bundeswehr Muenchen, 85577 Neubiberg, Germany) ,  Herdl Florian (Institute of Physics, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Universitaet der Bundeswehr Muenchen, 85577 Neubiberg, Germany) ,  Hansch Walter (Institute of Physics, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Universitaet der Bundeswehr Muenchen, 85577 Neubiberg, Germany) ,  Bachmann Michael (KETEK GmbH, 81737 Munich, Germany) ,  Ritter Daniela (KETEK GmbH, 81737 Munich, Germany) ,  Dudeck Markus (KETEK GmbH, 81737 Munich, Germany) ,  Duesberg Felix (KETEK GmbH, 81737 Munich, Germany) ,  Meyer Manuel (KETEK GmbH, 81737 Munich, Germany) ,  Pahlke Andreas (KETEK GmbH, 81737 Munich, Germany) ,  Hausladen Matthias (Faculty of Applied Natural Sciences and Cultural Studies, OTH Regensburg, 93053 Regensburg, Germany) ,  Buchner Philipp (Faculty of Applied Natural Sciences and Cultural Studies, OTH Regensburg, 93053 Regensburg, Germany) ,  Schreiner Rupert (Faculty of Applied Natural Sciences and Cultural Studies, OTH Regensburg, 93053 Regensburg, Germany)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 40  号： 1  ページ： 014202-014202-7  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 空間分解電界放出測定は,既存の電界放出概念のさらなる開発における重要因子である。本研究では,低コストおよび市販のCMOSカメラを用いた積分電流-電圧測定からの個々の発光スポットの定量的解析を可能にする新しいアプローチを示した。異なる曝露時間を外挿し,露出画素の下で,積分電流と画像輝度の近一致を示した。外挿はまた,チップ当たり数ナノアンペアから1マイクロアンペアまでの範囲の電流で全電流に関与する全ての個々のチップの平行研究を可能にする。積分輝度対電流比によって決定される感度は,10回の全測定サイクル後でも測定精度内で不変であった。点検出アルゴリズムを用いて,電界エミッタアレイの各個々のチップの比例電流負荷を解析し,初期測定サイクル中の異なる時間で比較した。積分測定からの単一放出スポットの抽出I-V曲線と共に,結果はエミッタのコンディショニング中の特に鋭い先端の早発燃焼の影響を示している。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電界放出 ,  電流 ,  発光 ,  外挿法 ,  輝度 ,  露光 ,  *画像処理 ,  定量的分析 ,  画素 ,  *イメージセンサ ,  電圧測定 ,  *CMOS
準シソーラス用語： CMOSカメラ ,  電界エミッタアレイ ,  検出アルゴリズム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： CMOS ,  イメージングセンサ ,  定量 ,  電界放出 ,  イメージング