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J-GLOBAL ID：202202218818112115   整理番号：22A1091144

サファイア上のGaNエピタキシャル膜の電子及び光学特性に及ぼすパルスイオンビーム処理の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of pulsed ion-beam treatment on the electronic and optical properties of GaN epitaxial films on sapphire

著者 (9件)： Zatsepin D.A. (Institute of Physics and Technology, Ural Federal University, Mira Str. 19, 620002 Yekaterinburg, Russia) ,  Zatsepin D.A. (Institute of Metal Physics of Ural Branch of Russian Academy of Sciences, 18 Kovalevskoj Str., 620990 Yekaterinburg, Russia) ,  Boukhvalov D.W. (Institute of Physics and Technology, Ural Federal University, Mira Str. 19, 620002 Yekaterinburg, Russia) ,  Boukhvalov D.W. (College of Science, Institute of Materials Physics and Chemistry, Nanjing Forestry University, Nanjing 210037, PR China) ,  Buntov E.A. (Institute of Physics and Technology, Ural Federal University, Mira Str. 19, 620002 Yekaterinburg, Russia) ,  Zatsepin A.F. (Institute of Physics and Technology, Ural Federal University, Mira Str. 19, 620002 Yekaterinburg, Russia) ,  Batalov R.I. (Zavoisky Physical-Technical Institute, FRC Kazan Scientific Center of RAS, 420029 Kazan, Russia) ,  Novikov H.A. (Zavoisky Physical-Technical Institute, FRC Kazan Scientific Center of RAS, 420029 Kazan, Russia) ,  Bayazitov R.M. (Zavoisky Physical-Technical Institute, FRC Kazan Scientific Center of RAS, 420029 Kazan, Russia)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 590  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア基板上にエピタキシャル成長し,通常の条件下で1年以上貯蔵されたGaN膜をパルス混合炭素-水素イオンビームを用いて処理した。X線光電子分光法(XPS),光吸収,光ルミネセンスおよび密度汎関数理論(DFT)ベースのシミュレーションを用いて,サファイア試料上のGaNの電子構造変換を研究した。Ga-N...Oの形での弱い酸性化を,サファイア試料上に成長したままとイオン照射したGaNの両方についてXPS法により明らかにした。GaN分解およびGa損失効果は,パルスイオンビーム処理(PIBT)後,実験的または理論的に検出されなかった。PIBTはバンドギャップの狭小化を促進し,表面領域の空孔濃度を変化させ,表面の非欠陥領域および表面近傍のヒドロキシル基の形成による表面の水素化を提供することを示した。層のPIBT誘起緻密化が空格子点のアニーリングにより観察された。表面積形態の検出可能な変化は見られなかった。価電子帯エッジの弱いシフトは,より多くの窒素欠陥を有する領域からの寄与に対応する。バンドギャップにおけるこれらの状態の存在は,GaNエピタキシャル膜の電気および光触媒活性の増加の可能な源であった。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *イオンビーム ,  空格子点 ,  焼なまし ,  光ルミネセンス ,  *ガリウム ,  窒素 ,  水素化 ,  緻密化 ,  ヒドロキシ基 ,  *パルス ,  価電子バンド ,  *サファイア ,  *窒化ガリウム ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ

著者キーワード (6件)： パルスイオンビーム窒化ガリウム欠陥 ,  表面の酸性化 ,  表面処理 ,  X線光電子分光法 ,  密度汎関数理論 ,  バンドギャップ

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： サファイア ,  GaN ,  エピタキシャル膜 ,  電子 ,  光学特性 ,  パルスイオンビーム