解離性Electron付着によるギ酸の選択的結合切断【JST・京大機械翻訳】

Slaughter D. S.; Weber Th.; Belkacem A.; Trevisan C. S.; Lucchese R. R.; McCurdy C. W.; Rescigno T. N.

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202218819426430 整理番号：22P0125570

解離性Electron付着によるギ酸の選択的結合切断【JST・京大機械翻訳】

Selective Bond-Breaking in Formic Acid by Dissociative Electron Attachment

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発行年： 2020年03月21日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年03月21日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

H ̄-フラグメントイオンが支配的な生成物である6~9eV領域におけるギ酸(HCOOH)への解離電子付着の共同実験{および}理論研究の結果を報告した。CHとOH結合の破壊は,どちらかのサイトの重水素化によって実験的に区別される。この領域において,H ̄-イオンが2つの{またはおそらく3}Feshbach共鳴(二重励起アニオン)状態の形成によって生成され,その1つはC-HまたはO-H結合切断のいずれかをもたらすが,他方はO-H結合切断によってホルミルオキシルラジカルを生成するだけであることを示した。アニオンフラグメントの実験的および理論的角度分布の比較は,解離に対する状態特異的経路の解明を可能にした。【JST・京大機械翻訳】

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電子と分子の衝突・散乱 , 電離現象

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