密度波絶縁体における高次トポロジカル絶縁体のシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Lin Kuan-Sen; Bradlyn Barry

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202218824692106 整理番号：21P0063397

密度波絶縁体における高次トポロジカル絶縁体のシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Simulating Higher-Order Topological Insulators in Density Wave Insulators

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発行年： 2020年11月24日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2021年06月03日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

Harper-Hofstadterモデルの発見以来,周期的変調を有する凝縮物質システムは,より高い次元で緊急のゲージ場で非自明なトポロジー状態に促進できることが知られている。本研究では,周期的(電荷-およびスピン-)密度波変調を有する低次元系に関連した高次元におけるゲージ場を計算するための一般的手順を開発した。3DのU(1)とSU(2)ゲージ場を持つ高次位相に促進できる変調を持つ二次元(2D)モデルを構成した。著者らの2Dモデルのコーナーモードは変調の位相の断熱滑りによって励起され,促進モデルでヒンジモードを生じる。また,量子異常Hall(QAH)表面状態を持つ電荷密度波(CDW)秩序によりギャップした3D Weyl半金属(WSM)を調べた。この3Dシステムは,非ゼロ第二Chern数を有するU(1)ゲージ場によってギャップされた4Dノードラインシステムと等価であることを示した。対応する4D理論を用いて,CDWによりギャップされた3D WSMの反転対称性保護相の間の最近同定された内挿を説明した。著者らの結果は,密度波システムに対する高次元における(高次)トポロジー状態の探索を拡張することができる。【JST・京大機械翻訳】

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電子輸送の一般理論

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