一軸および剪断歪により駆動された層状PdSe_2におけるvan der Waals方向転換による強弾性スイッチング【JST・京大機械翻訳】

Lv Peng; Tang Gang; Liu Yanyu; Lun Yingzhuo; Wang Xueyun; Hong Jiawang

プレプリント

J-GLOBAL ID：202202218829608782 整理番号：21P0025333

一軸および剪断歪により駆動された層状PdSe_2におけるvan der Waals方向転換による強弾性スイッチング【JST・京大機械翻訳】

Ferroelastic switching with van der Waals direction transformation in layered PdSe2 driven by uniaxial and shear strain

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発行年： 2020年02月26日プレプリントサーバーでの情報更新日： 2020年02月26日
JST資料番号： O7000B 資料種別：プレプリント
記事区分：プレプリント発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

※このプレプリント論文は学術誌に掲載済みです。なお、学術誌掲載の際には一部内容が変更されている可能性があります。

一軸および二軸歪法は,通常,フェロ弾性状態をスイッチするために実行され,それはフェロイックおよび形状記憶材料の応用において重要な役割を果たす。本研究では,第一原理計算を用いて,単軸歪だけでなく,剪断歪も,層状バルクPdSe_2の強弾性遷移と共に,van der Waals(vdW)層状方向が回転する新しい強弾性スイッチングを誘起することを見出した。剪断歪は,単軸歪より小さい3倍振幅の強弾性スイッチングを誘起した。層状PdSe_2における新しい3状態強弾性スイッチングも,剪断歪下で起こる。著者らの結果は,剪断歪が,潜在的デバイス応用における層状材料の機能性を操作するための有効なアプローチとして使用できることを示した。【JST・京大機械翻訳】

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固-固界面 , 半導体結晶の電子構造 , 半導体薄膜 , 塩

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