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J-GLOBAL ID：202202219044214630   整理番号：22A0630836

フラッシュメモリのための低複雑度耐久性変調【JST・京大機械翻訳】

A Low-Complexity Endurance Modulation for Flash Memory

著者 (2件)： Ismail Amr (Bristol Research and Innovation Laboratory, Toshiba Research Europe Ltd, Bristol, U.K.) ,  Sandell Magnus (Bristol Research and Innovation Laboratory, Toshiba Research Europe Ltd, Bristol, U.K.)
資料名： IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs  (IEEE Transactions on Circuits and Systems 2: Express Briefs)
巻： 69  号： 2  ページ： 424-428  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0347A  ISSN： 1549-7747  CODEN： ITCSFK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反復プログラム/消去(P/E)サイクルは,デバイスの寿命を制限するフラッシュメモリセルを摩耗する。注入/消去電荷が大きいほど,摩耗速度は速くなり,従って,高電圧レベルにプログラムされたセルの割合を減らすのに関心が持たれる。従来のデータ成形技術は,入力データを形状符号語に符号化し,読取データを解読するために,追加の複雑性を繰り返すだけでなく,無視できないオーバヘッドをしばしば導入する。元のデータを検索するために,誤り訂正符号(ECC)のみに依存する,新しい無損失だが単純な耐久性変調法を提案した。このアイデアは,ECCが通常,デバイスの寿命の終わりに向けてチャネル誤差を修正するために設計され,従って,初期年齢において,ECCはチャネル誤差補正と耐久性復調のために共同で使用できるという事実によって動機づけられる。提案した方式は,制御方法におけるフリッピングビットによるデータ成形と,これらのフリップビットを回復するための簡単な最大ログ復調から成る。シミュレーション結果は,成形利得がデバイス年齢として調整されるならば,提案した方式が元のデータを復元する装置の能力を損なわないことを示した。チャネル誤差が所定の閾値を超えると,制御装置は持久性変調を無効にし,正常モードで動作する。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 基準モード ,  誤差 ,  シミュレーション ,  電荷 ,  符号化 ,  誤り訂正 ,  制御方式 ,  復調 ,  利得 ,  チャネル ,  摩耗速度 ,  誤り訂正符号 ,  *フラッシュメモリ
準シソーラス用語： オーバヘッド ,  符号語 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  移動通信  (ND08030H)

タイトルに関連する用語 (3件)： フラッシュメモリ ,  複雑度 ,  変調